單晶硅作為一種比較活潑的非金屬元素晶體,是晶體材料的重要組成部分,主要用作半導體材料和利用太陽(yáng)能光發(fā)發(fā)電、供熱等。在單晶硅生產(chǎn)過(guò)程的制絨、刻蝕、酸洗等環(huán)境,會(huì )用到大量氫氟酸等化學(xué)物質(zhì),從而使得廢水中氟離子含量高,給光伏、半導體等廢水的處理帶來(lái)了挑戰。
對于含氟廢水的處理,目前國內大多數生產(chǎn)廠(chǎng)尚無(wú)完善的處理設施,所排放的廢水氟含量超過(guò)國家排放標準,會(huì )嚴重污染到環(huán)境。目前國內外常用的含氟廢水處理方法大致分為兩類(lèi),即沉淀法和吸附法。
化學(xué)沉淀法是方法簡(jiǎn)單、處理方便,費用低,但處理后的廢水氟含量一般只能降到15mg/L,而且存在泥渣沉降緩慢,脫水困難,不適用連續處理連續排放等缺點(diǎn)。吸附法一般只適用于低濃度的含氟廢水或經(jīng)其他方法處理后氟化物濃度降至10-20mg/L的廢水。
深度除氟劑針對化學(xué)沉淀法以及吸附法無(wú)法再降低的低濃度含氟廢水,進(jìn)行深度處理,可降至0.5mg/L,且相比市面其它產(chǎn)品而言,污泥能夠減少30-50%,能夠幫助客戶(hù)節約成本。
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